知情人士称,中国最大闪存晶片制造商长江存储(YMTC)正计划扩展至动态随机存取存储晶片(DRAM)制造领域,其中包括可用于人工智能晶片组的先进版本。
根据路透社星期四(9月25日)引述两名不愿具名的知情人士称,长江存储正在开发一种名为硅通孔(TSV,Through Silicon Via)的先进晶片封装技术,用于堆叠DRAM,以便于生产高带宽内存(HBM)晶片。
一名知情人士还说,长江存储正考虑将其在武汉新建的一座工厂部分产能用于DRAM晶片生产。
据企业信息平台企查查数据,本月早些时候,长江存储新成立了一家公司,负责建设武汉第三家晶片工厂,注册资本为207亿元人民币。
报道称,这一举措凸显了在美国去年12月扩大出口管制、限制北京获取HBM后,中国加快提升先进晶片制造能力的迫切。
目前,HBM晶片主要由美国美光、韩国SK海力士和三星电子生产,并用于制造英伟达和AMD等公司销售的AI晶片组。
长江存储在中国的主要竞争对手长鑫存储(CXMT)也在研发HBM晶片。
您查看的内容可能不完整,部分内容和推荐被拦截!请对本站关闭广告拦截和阅读模式,或使用自带浏览器后恢复正常。