三星电子前研究员涉向长鑫存储泄密被起诉

韩国三星电子集团前研究员涉向中国科技企业长鑫存储泄密，被韩国检方起诉。

据韩联社报道，韩国首尔中央地方检察厅情报技术犯罪侦查部星期五（5月2日）通报，一名三星电子前研究员涉嫌向中方泄露晶片核心技术，韩国检方对其进行逮捕并予以起诉。

据通报，韩国检方以违反《产业技术保护法》（向国外泄露国家核心技术）等罪名对曾从三星跳槽至中国长鑫存储技术有限公司（CXMT）的研究员全某（55岁）予以逮捕起诉。

根据检方指控，全某非法获取并使用了三星电子斥资约1.6万亿韩元研发的动态随机存取存储器（DRAM）的核心工艺技术。

调查显示，全某与三星电子前部门主管金某一同跳槽至长鑫后，为长鑫牵头制定了非法转移三星核心技术、挖角关键技术人才的DRAM晶片研发计划。

全某在六年间从长鑫获得了总计约29亿韩元的薪酬，其中包括3亿韩元签约奖金和3亿韩元股票期权。

去年9月，韩国三星电子集团前高管崔金锡因涉嫌替中国窃取晶片处理技术，再次被羁押。崔金锡2023年6月因涉嫌使用三星开发的敏感信息，在中国建立一家山寨晶片工厂被捕并遭到起诉。此后，崔金锡也因涉及商业间谍审讯受到韩国警方关注。他否认有关指控，2023年11月获准保释。

崔金锡去年4月在保释期间也透露，韩国警方正对他及一名三星前员工就三星晶片处理技术相关的新指控展开调查。