台积电2纳米芯片或2025年量产

时间:2022-09-13 09:38内容来源:联合早报 版阅读:新闻归类:台海局势

台湾芯片代工厂台积电2纳米制程将于2025年量产,市场看好进度可望领先对手三星(Samsung)及英特尔(Intel)。

综合中央社和台湾经济日报报道,台积电先进制程进展顺利,3纳米在今年下半年量产,升级版3纳米(N3E)制程将于3纳米量产1年后量产,即2023年量产,2纳米预计于2025年量产。

台积电研究发展资深副总经理米玉杰表示,将在2024年取得ASML下世代极紫外光微影设备(high-NA EUV),为客户发展相关的基础设施与构架解决方案。

台积电业务开发资深副总经理张晓强则说,2024年取得设备后,初期主要用于与合作伙伴共同研究,尚不会量产。

台积电2纳米厂将座落于竹科宝山二期扩建计划用地中,台湾竹科管理局已展开公共设施建设,台积电2纳米厂也开始进行整地作业。

台积电2纳米首度采用纳米片架构,相较N3E制程,在相同功率下,速度提升10%至15%,在相同速度下,功耗降低25%至30%。

台积电总裁魏哲家此前在台湾技术论坛中强调,台积电2纳米将会是密度最小、效能最好的技术。市场也看好,台积电2纳米进度将领先对手三星及英特尔。

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